Nur als Referenz
Artikelnummer | 1N5553US |
LIXINC Part # | 1N5553US |
Hersteller | Roving Networks / Microchip Technology |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | 1N5553US PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 28 - Nov 01 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
Versand |
Artikelnummer: | 1N5553US |
Marke: | Roving Networks / Microchip Technology |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Hersteller: | Roving Networks / Microchip Technology |
Serie: | - |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Active |
Diodentyp: | Standard |
spannung - dc umgekehrt (vr) (max): | 800 V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io): | 3A |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if: | 1.2 V @ 9 A |
Geschwindigkeit: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Rückwärtserholzeit (trr): | 2 µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr: | 1 µA @ 800 V |
Kapazität @ vr, f: | - |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | SQ-MELF, B |
Gerätepaket des Lieferanten: | B, SQ-MELF |
Betriebstemperatur - Sperrschicht: | -65°C ~ 175°C |
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Auf Lager | 10879 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $8.30000 | $8.3 |
10 | $7.54314 | $75.4314 |
100 | $6.41167 | $641.167 |
500 | $5.46878 | $2734.39 |
1000 | $5.28020 | $5280.2 |
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