MT47H512M4THN-25E:M | Micron Technology MT47H512M4THN-25E:M | MT47H512M4THN-25E:M Inventory, Best Pricing

MT47H512M4THN-25E:M

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Artikelnummer	MT47H512M4THN-25E:M
LIXINC Part #	MT47H512M4THN-25E:M
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT47H512M4THN-25E:M PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT47H512M4THN-25E:M Spezifikationen

Artikelnummer:	MT47H512M4THN-25E:M
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR2
Speichergröße:	2Gb (512M x 4)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	400 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	400 ps
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	63-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	63-FBGA (8x10)

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