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IS61NVP25672-200B1-TR

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Artikelnummer	IS61NVP25672-200B1-TR
LIXINC Part #	IS61NVP25672-200B1-TR
Hersteller	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IS61NVP25672-200B1-TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IS61NVP25672-200B1-TR Spezifikationen

Artikelnummer:	IS61NVP25672-200B1-TR
Marke:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße:	18Mb (256K x 72)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	3.1 ns
Spannungsversorgung:	2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	209-BGA
Gerätepaket des Lieferanten:	209-LFBGA (14x22)

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