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Artikelnummer | MT47R512M4EB-25E:C |
LIXINC Part # | MT47R512M4EB-25E:C |
Hersteller | Micron Technology |
Kategorie | integrierte Schaltkreise › Speicher |
Beschreibung | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | MT47R512M4EB-25E:C PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 29 - Nov 02 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
Versand |
Artikelnummer: | MT47R512M4EB-25E:C |
Marke: | Micron Technology |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | integrierte Schaltkreise |
Unterkategorie: | Speicher |
Hersteller: | Micron Technology |
Serie: | - |
Paket: | Tray |
Teilstatus: | Discontinued at Digi-Key |
Speichertyp: | Volatile |
Speicherformat: | DRAM |
Technologie: | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße: | 2Gb (512M x 4) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Taktfrequenz: | 400 MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | 15ns |
Zugriffszeit: | 400 ps |
Spannungsversorgung: | 1.55V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | 60-TFBGA |
Gerätepaket des Lieferanten: | 60-FBGA (9x11.5) |
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Auf Lager | 10897 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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