MT47H512M4EB-3:C | Micron Technology MT47H512M4EB-3:C | MT47H512M4EB-3:C Inventory, Best Pricing

MT47H512M4EB-3:C

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	MT47H512M4EB-3:C
LIXINC Part #	MT47H512M4EB-3:C
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT47H512M4EB-3:C PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

MT47H512M4EB-3:C Spezifikationen

Artikelnummer:	MT47H512M4EB-3:C
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR2
Speichergröße:	2Gb (512M x 4)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	333 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	450 ps
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	60-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	60-FBGA (9x11.5)

Warme Tipps: Bitte füllen Sie das folgende Formular aus. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Lixinc bietet Ihnen die wettbewerbsfähigsten Preise, bitte beachten Sie die Angebote.

[email protected]

LIXINC

Nachricht senden

Bitte zögern Sie nicht, uns für Details zu kontaktieren.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015