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PTAB182002TCV2R250XTMA1

PTAB182002TCV2R250XTMA1
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Artikelnummer PTAB182002TCV2R250XTMA1
LIXINC Part # PTAB182002TCV2R250XTMA1
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle PTAB182002TCV2R250XTMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

PTAB182002TCV2R250XTMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:PTAB182002TCV2R250XTMA1
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Obsolete
Transistortyp:LDMOS
Frequenz:1.805GHz ~ 1.88GHz
gewinnen:14.8dB
Spannung - testen:28 V
Nennstrom (Ampere):10µA
Rauschzahl:-
Aktueller Test:520 mA
Leistung:29W
Spannung - bewertet:65 V
Paket / Koffer:H-49248H-4
Gerätepaket des Lieferanten:H-49248H-4

PTAB182002TCV2R250XTMA1 Unterlagen

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