SIDC08D120F6X1SA3 | IR (Infineon Technologies) SIDC08D120F6X1SA3 | SIDC08D120F6X1SA3 Inventory, Best Pricing

SIDC08D120F6X1SA3

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Artikelnummer	SIDC08D120F6X1SA3
LIXINC Part #	SIDC08D120F6X1SA3
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SIDC08D120F6X1SA3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SIDC08D120F6X1SA3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SIDC08D120F6X1SA3
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	1200 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	7A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	2.1 V @ 7 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	27 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	Die
Gerätepaket des Lieferanten:	Sawn on foil
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-55°C ~ 150°C

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