JAN1N5550US | Roving Networks / Microchip Technology JAN1N5550US

JAN1N5550US

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Artikelnummer	JAN1N5550US
LIXINC Part #	JAN1N5550US
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	JAN1N5550US PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 24 - Oct 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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JAN1N5550US Spezifikationen

Artikelnummer:	JAN1N5550US
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	Military, MIL-PRF-19500/420
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	200 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	3A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.2 V @ 9 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	2 µs
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	1 µA @ 200 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SQ-MELF, B
Gerätepaket des Lieferanten:	D-5B
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-65°C ~ 175°C

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