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70V3579S4DRG

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Artikelnummer	70V3579S4DRG
LIXINC Part #	70V3579S4DRG
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	70V3579S4DRG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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70V3579S4DRG Spezifikationen

Artikelnummer:	70V3579S4DRG
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße:	1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	4.2 ns
Spannungsversorgung:	3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	208-BFQFP
Gerätepaket des Lieferanten:	208-PQFP (28x28)

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