AFT18H357-24SR6 | Rochester Electronics AFT18H357-24SR6 | AFT18H357-24SR6 Inventory, Best Pricing

AFT18H357-24SR6

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Artikelnummer	AFT18H357-24SR6
LIXINC Part #	AFT18H357-24SR6
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AFT18H357-24SR6 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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AFT18H357-24SR6 Spezifikationen

Artikelnummer:	AFT18H357-24SR6
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	LDMOS (Dual)
Frequenz:	1.81GHz
gewinnen:	17.3dB
Spannung - testen:	28 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	800 mA
Leistung:	63W
Spannung - bewertet:	65 V
Paket / Koffer:	NI-1230-4LS2L
Gerätepaket des Lieferanten:	NI-1230-4LS2L

BF 1009SR E6327	RF N-CHANNEL MOSFET	3638 Mehr auf Bestellung
STD1047T4	NFET DPAK SPCL 80V TR	978 Mehr auf Bestellung
BLP15M9S30Z	BLP15M9S30/SOT1482/REELDP	1688 Mehr auf Bestellung
2SK1691-E	NCH 10V DRIVE SERIES	2896 Mehr auf Bestellung
GTVA107001FC-V1	700W GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ	847 Mehr auf Bestellung
4MN10MH-TL-E	BIP NPN 0.1A 200V	6863 Mehr auf Bestellung
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PH3830DL115	N-CH TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET	586000 Mehr auf Bestellung
VEC2607-TL-E	PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES	36880 Mehr auf Bestellung
EFC4601R-M-TR	NCH 2.5V DRIVE SERIES	8180963 Mehr auf Bestellung
GTVA126001EC-V1-R0	600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET	877 Mehr auf Bestellung
PXAC261212FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	915 Mehr auf Bestellung
A2T21H100-25SR3	IC RF LDMOS TRANS CELL	820 Mehr auf Bestellung

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