MRF8VP13350GNR3 | NXP Semiconductors MRF8VP13350GNR3 | MRF8VP13350GNR3 Inventory, Best Pricing

MRF8VP13350GNR3

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Artikelnummer	MRF8VP13350GNR3
LIXINC Part #	MRF8VP13350GNR3
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	TRANS RF LDMOS 350W 50V
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MRF8VP13350GNR3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MRF8VP13350GNR3 Spezifikationen

Artikelnummer:	MRF8VP13350GNR3
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	LDMOS (Dual)
Frequenz:	1.3GHz
gewinnen:	19.2dB
Spannung - testen:	50 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	100 mA
Leistung:	350W
Spannung - bewertet:	100 V
Paket / Koffer:	OM-780G-4L
Gerätepaket des Lieferanten:	OM-780G-4L

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