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MRF5S21150HR3

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Artikelnummer	MRF5S21150HR3
LIXINC Part #	MRF5S21150HR3
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MRF5S21150HR3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MRF5S21150HR3 Spezifikationen

Artikelnummer:	MRF5S21150HR3
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	LDMOS
Frequenz:	2.11GHz ~ 2.17GHz
gewinnen:	12.5dB
Spannung - testen:	28 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	1.3 A
Leistung:	33W
Spannung - bewertet:	65 V
Paket / Koffer:	NI-880
Gerätepaket des Lieferanten:	NI-880

3LN04MH-TL-E	NCH 1.5V DRIVE SERIES	96957 Mehr auf Bestellung
PXFC211507SCV1R250XTMA1	IC AMP RF LDMOS	870 Mehr auf Bestellung
AFT26HW050GSR3-NXP	RF N CHANNEL, MOSFET	1219 Mehr auf Bestellung
MCH6610-TL-E	NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES	952 Mehr auf Bestellung
GTRA384802FC-V1-R2	GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ	900 Mehr auf Bestellung
30C01C-TB-E	BIP NPN 0.4A 30V	54915 Mehr auf Bestellung
A3G26H501W17SR3	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR	844 Mehr auf Bestellung
CG2H40010P	10W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P	854 Mehr auf Bestellung
PXAC261002FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	808 Mehr auf Bestellung
AD9920BBCZRL	12 BIT, 40 MHZ AFETG CONVERTER	6881 Mehr auf Bestellung
MMRF2005GNR1	SINGLE W-CDMA RF LDMOS WIDEBAND	963 Mehr auf Bestellung
BLP10H660PY	RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF	969 Mehr auf Bestellung
IGN1011L1200	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND	949 Mehr auf Bestellung

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