A2T09VD250NR1 | NXP Semiconductors A2T09VD250NR1 | A2T09VD250NR1 Inventory, Best Pricing

A2T09VD250NR1

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Artikelnummer	A2T09VD250NR1
LIXINC Part #	A2T09VD250NR1
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	IC TRANS RF LDMOS
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	A2T09VD250NR1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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A2T09VD250NR1 Spezifikationen

Artikelnummer:	A2T09VD250NR1
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	LDMOS (Dual)
Frequenz:	920MHz
gewinnen:	22.5dB
Spannung - testen:	48 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	1 A
Leistung:	65W
Spannung - bewertet:	105 V
Paket / Koffer:	TO-270-6 Variant, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-270WB-6A

BF1108215	RF MOSFET N-CH SOT143B	929 Mehr auf Bestellung
2SK4087LS-MG5	NCH 10V DRIVE SERIES	1125 Mehr auf Bestellung
MCH6405-TL-E	NCH 2.5V DRIVE SERIES	96879 Mehr auf Bestellung
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EMH2301-TL-E	PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES	21825 Mehr auf Bestellung
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GTVA262711FA-V2-R0	GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ	877 Mehr auf Bestellung
2SK1578A-S	NCH J-FET	63485 Mehr auf Bestellung
CG2H40120P	120W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ,	840 Mehr auf Bestellung
FW4604-TL-2WX	NCH+PCH 4.5V DRIVE SERIES	520873 Mehr auf Bestellung
CPH3424-TL-E	NCH 4V DRIVE SERIES	198955 Mehr auf Bestellung

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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