A3T18H455W23SR6 | NXP Semiconductors A3T18H455W23SR6 | A3T18H455W23SR6 Inventory, Best Pricing

A3T18H455W23SR6

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Artikelnummer	A3T18H455W23SR6
LIXINC Part #	A3T18H455W23SR6
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	A3T18H455W23SR6 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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A3T18H455W23SR6 Spezifikationen

Artikelnummer:	A3T18H455W23SR6
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	LDMOS (Dual)
Frequenz:	1.805GHz ~ 1.88GHz
gewinnen:	16.7dB
Spannung - testen:	30 V
Nennstrom (Ampere):	10µA
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	600 mA
Leistung:	192W
Spannung - bewertet:	65 V
Paket / Koffer:	ACP-1230S-4L2S
Gerätepaket des Lieferanten:	ACP-1230S-4L2S

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