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MRF8S19260HSR6

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Artikelnummer	MRF8S19260HSR6
LIXINC Part #	MRF8S19260HSR6
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MRF8S19260HSR6 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 31 - Nov 04 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MRF8S19260HSR6 Spezifikationen

Artikelnummer:	MRF8S19260HSR6
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	LDMOS (Dual)
Frequenz:	1.99GHz
gewinnen:	18.2dB
Spannung - testen:	30 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	1.6 A
Leistung:	74W
Spannung - bewertet:	65 V
Paket / Koffer:	SOT-1110B
Gerätepaket des Lieferanten:	NI1230S-8

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GTRA362802FC-V1-R0	280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH	863 Mehr auf Bestellung
2SK2464-TL-E	NCH 10V DRIVE SERIES	12965 Mehr auf Bestellung
PXAC201202FC-V2-R0	IC AMP RF LDMOS H-37248-4	952 Mehr auf Bestellung
A2T21H140-24SR3	RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4	897 Mehr auf Bestellung
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ARF468BG	RF MOSFET (VDMOS)	985 Mehr auf Bestellung
PXAC210552FC-V1-R0	RF MOSFET TRANSISTORS	842 Mehr auf Bestellung
IRFAG20	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	2005 Mehr auf Bestellung
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GTVA220701FA-V1-R2	GAN SIC	934 Mehr auf Bestellung

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