BYG21MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BYG21MHE3_A/I

BYG21MHE3_A/I

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Artikelnummer	BYG21MHE3_A/I
LIXINC Part #	BYG21MHE3_A/I
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BYG21MHE3_A/I PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BYG21MHE3_A/I Spezifikationen

Artikelnummer:	BYG21MHE3_A/I
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Avalanche
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	1000 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	1.5A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.6 V @ 1.5 A
Geschwindigkeit:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	120 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	1 µA @ 1000 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	DO-214AC, SMA
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-55°C ~ 150°C

RU 2ZV1	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL	947 Mehr auf Bestellung
VS-70HFR80M	DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB	942 Mehr auf Bestellung
1N1345C	STANDARD RECTIFIER	871 Mehr auf Bestellung
VS-88HF80	DIODE GEN PURP 800V 85A DO203AB	883 Mehr auf Bestellung
R6201240XXOO	DIODE GP 1.2KV 400A DO200AA R62	837 Mehr auf Bestellung
EM 2BV	DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL	837 Mehr auf Bestellung
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A451PN	DIODE GP 1.8KV 2500A DO200AC	863 Mehr auf Bestellung
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R6201640XXOO	DIODE GP 1.6KV 400A DO200AA R62	815 Mehr auf Bestellung
US1JWF-HF	RECTIFIER ULTRA FAST RECOVERY 60	922 Mehr auf Bestellung

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