NAND512R3A2BZA6E

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Artikelnummer	NAND512R3A2BZA6E
LIXINC Part #	NAND512R3A2BZA6E
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NAND512R3A2BZA6E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 18 - Oct 22 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NAND512R3A2BZA6E Spezifikationen

Artikelnummer:	NAND512R3A2BZA6E
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	FLASH
Technologie:	FLASH - NAND
Speichergröße:	512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	60ns
Zugriffszeit:	60 ns
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	63-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	63-VFBGA (8.5x15)

NAND512R3A2BZA6E Unterlagen

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