IDT70P3307S233RMI

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Artikelnummer	IDT70P3307S233RMI
LIXINC Part #	IDT70P3307S233RMI
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 18MBIT PAR 576FCBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IDT70P3307S233RMI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IDT70P3307S233RMI Spezifikationen

Artikelnummer:	IDT70P3307S233RMI
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
Speichergröße:	18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	233 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	7.2 ns
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	576-BBGA, FCBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	576-FCBGA (25x25)

IDT70P3307S233RMI Unterlagen

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