IS43DR86400C-3DBI

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Artikelnummer	IS43DR86400C-3DBI
LIXINC Part #	IS43DR86400C-3DBI
Hersteller	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IS43DR86400C-3DBI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IS43DR86400C-3DBI Spezifikationen

Artikelnummer:	IS43DR86400C-3DBI
Marke:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR2
Speichergröße:	512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	333 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	450 ps
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	60-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	60-TWBGA (8x10.5)

IS43DR86400C-3DBI Unterlagen

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