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Artikelnummer | IDT71V416L10YI |
LIXINC Part # | IDT71V416L10YI |
Hersteller | Renesas Electronics America |
Kategorie | integrierte Schaltkreise › Speicher |
Beschreibung | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IDT71V416L10YI PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
Versand |
Artikelnummer: | IDT71V416L10YI |
Marke: | Renesas Electronics America |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | integrierte Schaltkreise |
Unterkategorie: | Speicher |
Hersteller: | Renesas Electronics America |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Obsolete |
Speichertyp: | Volatile |
Speicherformat: | SRAM |
Technologie: | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße: | 4Mb (256K x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Taktfrequenz: | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | 10ns |
Zugriffszeit: | 10 ns |
Spannungsversorgung: | 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten: | 44-SOJ |
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MT48H8M16LFB4-8:J TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA | 887 Mehr auf Bestellung |
Auf Lager | 10807 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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