IDT71V25761YSA200BG

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Artikelnummer	IDT71V25761YSA200BG
LIXINC Part #	IDT71V25761YSA200BG
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IDT71V25761YSA200BG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IDT71V25761YSA200BG Spezifikationen

Artikelnummer:	IDT71V25761YSA200BG
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße:	4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	5 ns
Spannungsversorgung:	3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	119-BGA
Gerätepaket des Lieferanten:	119-PBGA (14x22)

IDT71V25761YSA200BG Unterlagen

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