IS61NVP51236-200B3I-TR | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61NVP51236-200B3I-TR | IS61NVP51236-200B3I-TR Inventory, Best Pricing

IS61NVP51236-200B3I-TR

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Artikelnummer	IS61NVP51236-200B3I-TR
LIXINC Part #	IS61NVP51236-200B3I-TR
Hersteller	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IS61NVP51236-200B3I-TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IS61NVP51236-200B3I-TR Spezifikationen

Artikelnummer:	IS61NVP51236-200B3I-TR
Marke:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße:	18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	3.1 ns
Spannungsversorgung:	2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	165-LFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	165-TFBGA (13x15)