CY7C199C-12VI

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Artikelnummer	CY7C199C-12VI
LIXINC Part #	CY7C199C-12VI
Hersteller	Cypress Semiconductor
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY7C199C-12VI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY7C199C-12VI Spezifikationen

Artikelnummer:	CY7C199C-12VI
Marke:	Cypress Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Cypress Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Asynchronous
Speichergröße:	256Kb (32K x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	12ns
Zugriffszeit:	12 ns
Spannungsversorgung:	4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	28-SOJ

CY7C199C-12VI Unterlagen

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