IDT7164S35YG

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Artikelnummer	IDT7164S35YG
LIXINC Part #	IDT7164S35YG
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IDT7164S35YG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

IDT7164S35YG Spezifikationen

Artikelnummer:	IDT7164S35YG
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Asynchronous
Speichergröße:	64Kb (8K x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	35ns
Zugriffszeit:	35 ns
Spannungsversorgung:	4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	28-SOJ

IDT7164S35YG Unterlagen

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