AS4C16M16S-6BIN

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Artikelnummer	AS4C16M16S-6BIN
LIXINC Part #	AS4C16M16S-6BIN
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AS4C16M16S-6BIN PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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AS4C16M16S-6BIN Spezifikationen

Artikelnummer:	AS4C16M16S-6BIN
Marke:	Alliance Memory, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Alliance Memory, Inc.
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM
Speichergröße:	256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	12ns
Zugriffszeit:	5.4 ns
Spannungsversorgung:	3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	54-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	54-TFBGA (8x8)

AS4C16M16S-6BIN Unterlagen

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