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Artikelnummer | IS61NVF51236-7.5B3I-TR |
LIXINC Part # | IS61NVF51236-7.5B3I-TR |
Hersteller | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Kategorie | integrierte Schaltkreise › Speicher |
Beschreibung | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IS61NVF51236-7.5B3I-TR PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | IS61NVF51236-7.5B3I-TR |
Marke: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | integrierte Schaltkreise |
Unterkategorie: | Speicher |
Hersteller: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR) |
Teilstatus: | Obsolete |
Speichertyp: | Volatile |
Speicherformat: | SRAM |
Technologie: | SRAM - Synchronous, SDR |
Speichergröße: | 18Mb (512K x 36) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Taktfrequenz: | 117 MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | - |
Zugriffszeit: | 7.5 ns |
Spannungsversorgung: | 2.375V ~ 2.625V |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | 165-TBGA |
Gerätepaket des Lieferanten: | 165-TFBGA (13x15) |
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Auf Lager | 10934 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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