70V657S10DR

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Artikelnummer	70V657S10DR
LIXINC Part #	70V657S10DR
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	70V657S10DR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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70V657S10DR Spezifikationen

Artikelnummer:	70V657S10DR
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße:	1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	10ns
Zugriffszeit:	10 ns
Spannungsversorgung:	3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	208-BFQFP
Gerätepaket des Lieferanten:	208-PQFP (28x28)

70V657S10DR Unterlagen

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