MT41K512M8RH-125 M:E

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Artikelnummer	MT41K512M8RH-125 M:E
LIXINC Part #	MT41K512M8RH-125 M:E
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT41K512M8RH-125 M:E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT41K512M8RH-125 M:E Spezifikationen

Artikelnummer:	MT41K512M8RH-125 M:E
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR3L
Speichergröße:	4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	800 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	13.75 ns
Spannungsversorgung:	1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	78-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	78-FBGA (9x10.5)

MT41K512M8RH-125 M:E Unterlagen

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