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APT200GN60JG

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Artikelnummer	APT200GN60JG
LIXINC Part #	APT200GN60JG
Hersteller	Microsemi
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APT200GN60JG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

APT200GN60JG Spezifikationen

Artikelnummer:	APT200GN60JG
Marke:	Microsemi
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Microsemi
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	283 A
Leistung max:	682 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.85V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	25 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	14.1 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	ISOTOP
Gerätepaket des Lieferanten:	ISOTOP®