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FJN3308RBU

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Artikelnummer FJN3308RBU
LIXINC Part # FJN3308RBU
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle FJN3308RBU PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FJN3308RBU Spezifikationen

Artikelnummer:FJN3308RBU
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:-
Paket:Bulk
Teilstatus:Obsolete
Transistortyp:NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
Widerstand - Basis (r1):47 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:56 @ 5mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:250 MHz
Leistung max:300 mW
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten:TO-92-3

FJN3308RBU Unterlagen

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