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DTB113ZSTP

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Artikelnummer	DTB113ZSTP
LIXINC Part #	DTB113ZSTP
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DTB113ZSTP PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DTB113ZSTP Spezifikationen

Artikelnummer:	DTB113ZSTP
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Box (TB)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	1 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	56 @ 50mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	200 MHz
Leistung max:	300 mW
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	SC-72 Formed Leads
Gerätepaket des Lieferanten:	SPT