RN2105MFV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2105MFV,L3F

RN2105MFV,L3F

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	RN2105MFV,L3F
LIXINC Part #	RN2105MFV,L3F
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RN2105MFV,L3F PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

RN2105MFV,L3F Spezifikationen

Artikelnummer:	RN2105MFV,L3F
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	2.2 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	150 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-723
Gerätepaket des Lieferanten:	VESM