BCR185WE6327BTSA1 | IR (Infineon Technologies) BCR185WE6327BTSA1 | BCR185WE6327BTSA1 Inventory, Best Pricing

BCR185WE6327BTSA1

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Artikelnummer	BCR185WE6327BTSA1
LIXINC Part #	BCR185WE6327BTSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BCR185WE6327BTSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BCR185WE6327BTSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BCR185WE6327BTSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	10 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 5mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	200 MHz
Leistung max:	250 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-70, SOT-323
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT323-3