IRFI4019HG-117P | IR (Infineon Technologies) IRFI4019HG-117P | IRFI4019HG-117P Inventory, Best Pricing

IRFI4019HG-117P

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IRFI4019HG-117P
LIXINC Part #	IRFI4019HG-117P
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFI4019HG-117P PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IRFI4019HG-117P Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFI4019HG-117P
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	150V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	8.7A
rds auf (max) @ id, vgs:	95mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.9V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	20nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	810pF @ 25V
Leistung max:	18W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-5 Full-Pak