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IRFH4255DTRPBF

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Artikelnummer	IRFH4255DTRPBF
LIXINC Part #	IRFH4255DTRPBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFH4255DTRPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRFH4255DTRPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFH4255DTRPBF
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	25V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	64A, 105A
rds auf (max) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 35µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	15nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1314pF @ 13V
Leistung max:	31W, 38W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	PQFN (5x6)