SSM6L13TU(T5L,F,T) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6L13TU(T5L,F,T) | SSM6L13TU(T5L,F,T) Inventory, Best Pricing

SSM6L13TU(T5L,F,T)

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Artikelnummer	SSM6L13TU(T5L,F,T)
LIXINC Part #	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SSM6L13TU(T5L,F,T) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SSM6L13TU(T5L,F,T) Spezifikationen

Artikelnummer:	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	800mA (Ta)
rds auf (max) @ id, vgs:	143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	268pF @ 10V, 250pF @ 10V
Leistung max:	500mW
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten:	UF6