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SP8M10FU6TB

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Artikelnummer	SP8M10FU6TB
LIXINC Part #	SP8M10FU6TB
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SP8M10FU6TB PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SP8M10FU6TB Spezifikationen

Artikelnummer:	SP8M10FU6TB
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	7A, 4.5A
rds auf (max) @ id, vgs:	24mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11.8nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	600pF @ 10V
Leistung max:	2W
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOP