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STS3DNE60L

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Artikelnummer	STS3DNE60L
LIXINC Part #	STS3DNE60L
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STS3DNE60L PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STS3DNE60L Spezifikationen

Artikelnummer:	STS3DNE60L
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	STripFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	60V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3A
rds auf (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	13.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	815pF @ 25V
Leistung max:	2W
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO