IRF7756GTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF7756GTRPBF | IRF7756GTRPBF Inventory, Best Pricing

IRF7756GTRPBF

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Artikelnummer	IRF7756GTRPBF
LIXINC Part #	IRF7756GTRPBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF7756GTRPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRF7756GTRPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF7756GTRPBF
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 P-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	12V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.3A
rds auf (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 4.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	900mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1400pF @ 10V
Leistung max:	1W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-TSSOP