FDMS3660S-F121 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMS3660S-F121

FDMS3660S-F121

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Artikelnummer	FDMS3660S-F121
LIXINC Part #	FDMS3660S-F121
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDMS3660S-F121 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FDMS3660S-F121 Spezifikationen

Artikelnummer:	FDMS3660S-F121
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	PowerTrench®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	13A, 30A
rds auf (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	29nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1765pF @ 15V
Leistung max:	1W
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	Power56