SI5511DC-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI5511DC-T1-E3 | SI5511DC-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI5511DC-T1-E3

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Artikelnummer	SI5511DC-T1-E3
LIXINC Part #	SI5511DC-T1-E3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SI5511DC-T1-E3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SI5511DC-T1-E3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SI5511DC-T1-E3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4A, 3.6A
rds auf (max) @ id, vgs:	55mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	7.1nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	435pF @ 15V
Leistung max:	3.1W, 2.6W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten:	1206-8 ChipFET™