PHKD3NQ10T,518 | Nexperia PHKD3NQ10T,518 | PHKD3NQ10T,518 Inventory, Best Pricing

PHKD3NQ10T,518

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Artikelnummer	PHKD3NQ10T,518
LIXINC Part #	PHKD3NQ10T,518
Hersteller	Nexperia
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PHKD3NQ10T,518 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PHKD3NQ10T,518 Spezifikationen

Artikelnummer:	PHKD3NQ10T,518
Marke:	Nexperia
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Nexperia
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	100V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3A
rds auf (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	21nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	633pF @ 20V
Leistung max:	2W
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO