ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC
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Artikelnummer ZXMN3A06DN8TC
LIXINC Part # ZXMN3A06DN8TC
Hersteller Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle ZXMN3A06DN8TC PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

ZXMN3A06DN8TC Spezifikationen

Artikelnummer:ZXMN3A06DN8TC
Marke:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:4.9A
rds auf (max) @ id, vgs:35mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:796pF @ 25V
Leistung max:1.8W
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:8-SO

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