NE3512S02-A

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Artikelnummer	NE3512S02-A
LIXINC Part #	NE3512S02-A
Hersteller	CEL (California Eastern Laboratories)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	HJ-FET NCH 13.5DB S02
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NE3512S02-A PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 24 - Oct 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NE3512S02-A Spezifikationen

Artikelnummer:	NE3512S02-A
Marke:	CEL (California Eastern Laboratories)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	CEL (California Eastern Laboratories)
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	HFET
Frequenz:	12GHz
gewinnen:	13.5dB
Spannung - testen:	2 V
Nennstrom (Ampere):	70mA
Rauschzahl:	0.35dB
Aktueller Test:	10 mA
Leistung:	-
Spannung - bewertet:	4 V
Paket / Koffer:	4-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten:	S02

NE3512S02-A Unterlagen

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