BFR750L3RHE6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BFR750L3RHE6327XTSA1 | BFR750L3RHE6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BFR750L3RHE6327XTSA1

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Artikelnummer	BFR750L3RHE6327XTSA1
LIXINC Part #	BFR750L3RHE6327XTSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 4.7V 37GHZ TSLP-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BFR750L3RHE6327XTSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BFR750L3RHE6327XTSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BFR750L3RHE6327XTSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	4.7V
Frequenz - Übergang:	37GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
gewinnen:	21dB
Leistung max:	360mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	160 @ 60mA, 3V
Strom - Kollektor (ic) (max):	90mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-101, SOT-883
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TSLP-3