BFG 19S E6327 | IR (Infineon Technologies) BFG 19S E6327 | BFG 19S E6327 Inventory, Best Pricing

BFG 19S E6327

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Artikelnummer	BFG 19S E6327
LIXINC Part #	BFG 19S E6327
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BFG 19S E6327 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BFG 19S E6327 Spezifikationen

Artikelnummer:	BFG 19S E6327
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	15V
Frequenz - Übergang:	5.5GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
gewinnen:	14dB ~ 8.5dB
Leistung max:	1W
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 70mA, 8V
Strom - Kollektor (ic) (max):	210mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT223-4