MRF581G

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Artikelnummer	MRF581G
LIXINC Part #	MRF581G
Hersteller	Microsemi
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MRF581G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MRF581G Spezifikationen

Artikelnummer:	MRF581G
Marke:	Microsemi
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	Microsemi
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	18V
Frequenz - Übergang:	5GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
gewinnen:	13dB ~ 15.5dB
Leistung max:	1.25W
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	50 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (ic) (max):	200mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	Micro-X ceramic (84C)
Gerätepaket des Lieferanten:	Micro-X ceramic (84C)

MRF581G Unterlagen

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