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1N8026-GA

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Artikelnummer	1N8026-GA
LIXINC Part #	1N8026-GA
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	1N8026-GA PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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1N8026-GA Spezifikationen

Artikelnummer:	1N8026-GA
Marke:	GeneSiC Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	GeneSiC Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
Diodentyp:	Silicon Carbide Schottky
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	1200 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	8A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.6 V @ 2.5 A
Geschwindigkeit:	No Recovery Time > 500mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	10 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f:	237pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-257-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-257
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-55°C ~ 250°C