BS108/01,126 | NXP Semiconductors BS108/01,126 | BS108/01,126 Inventory, Best Pricing

BS108/01,126

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Artikelnummer	BS108/01,126
LIXINC Part #	BS108/01,126
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BS108/01,126 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BS108/01,126 Spezifikationen

Artikelnummer:	BS108/01,126
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Box (TB)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	300mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.8V
rds auf (max) @ id, vgs:	5Ohm @ 100mA, 2.8V
vgs(th) (max) @ id:	1.8V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	120 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92-3
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)