SPP04N60C3HKSA1 | IR (Infineon Technologies) SPP04N60C3HKSA1 | SPP04N60C3HKSA1 Inventory, Best Pricing

SPP04N60C3HKSA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SPP04N60C3HKSA1
LIXINC Part #	SPP04N60C3HKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SPP04N60C3HKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SPP04N60C3HKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	SPP04N60C3HKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	CoolMOS™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	950mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	490 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	50W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO220-3-1
Paket / Koffer:	TO-220-3